全球MOSFET競(jìng)爭(zhēng)格局國(guó)產(chǎn)維安半導(dǎo)體崛起

         全球市場(chǎng)份額看，MOSFET幾乎都集中在國(guó)際大廠手中，英飛凌收購(gòu)了IR成為行業(yè)龍頭，安森美也完成對(duì)仙童半導(dǎo)體的收購(gòu)后，市占率躍
升至第二，然后銷售排名分別是瑞薩、東芝、萬(wàn)國(guó)、ST、威世、安世、美格納等等；

       與活躍于中國(guó)大陸的國(guó)際廠商相比，國(guó)產(chǎn)企業(yè)優(yōu)勢(shì)不明顯，但這不能說(shuō)國(guó)產(chǎn)沒(méi)有機(jī)會(huì)，中國(guó)大陸是世界上產(chǎn)業(yè)鏈最齊全的經(jīng)濟(jì)活躍區(qū)，在
功率半導(dǎo)體領(lǐng)域活躍著一批本土制造企業(yè)，目前已基本完成產(chǎn)業(yè)鏈布局，且處于快速發(fā)展中；特別是MOSFET領(lǐng)域，國(guó)產(chǎn)在中低壓領(lǐng)域替換進(jìn)
口品牌潛力最大，且部分國(guó)產(chǎn)、如士蘭、華潤(rùn)微、吉林華微，新潔能，維安WAYON等都在努力進(jìn)入世界排名；

主流MOS管品牌

MOS管分為幾大系列：美系、日系、韓系、國(guó)產(chǎn)。

美系：英飛凌、IR，仙童，安森美，ST，TI ，PI，AOS美國(guó)萬(wàn)代半導(dǎo)體等；

日系：東芝，瑞薩，ROHM羅姆等；

韓系：美格納，KEC，AUK，森名浩，信安，KIA

國(guó)產(chǎn)：上海維安電子有限公司，吉林華微電子股份有限公司，揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司，杭州士蘭微電子股份有限公司，華潤(rùn)微電子
（重慶）有限公司，無(wú)錫新潔能，西安后裔，深圳銳俊半導(dǎo)體，無(wú)錫華潤(rùn)華晶微電子有限公司，江蘇東晨電子科技有限公司，東微半導(dǎo)體，威
兆半導(dǎo)體，蘇州硅能，無(wú)錫市芯途半導(dǎo)體有限公司

國(guó)產(chǎn)臺(tái)系：ANPEC，CET，友順UTC

維安WAYON MOS管封裝分類

按照安裝在PCB板上的方式來(lái)劃分，MOS管封裝主要有兩大類：插入式(Through Hole)和表面貼裝式(Surface Mount)。

1、表面貼裝則是MOSFET的管腳及散熱法蘭焊接在PCB板表面的焊盤上。典型表面貼裝式封裝有：晶體管外形(D-PAK)、小外形晶體管
(SOT)、小外形封裝(SOP)、
方形扁平式封裝(QFP)、塑封有引線芯片載體(PLCC)等。

2、維安WAYON晶體管外形封裝(TO)

屬于早期的封裝規(guī)格，例如TO-3P、TO-247、TO-92、TO-92L、TO-220、TO-220F、TO-251等都是插入式封裝設(shè)計(jì)。

由于插入式封裝工藝焊接成本高、散熱性能也不如貼片式產(chǎn)品，使得表面貼裝市場(chǎng)需求量不斷增大，也使得TO封裝發(fā)展到表面貼裝式封裝。

TO-252(又稱之為D-PAK)和TO-263(D2PAK)就是表面貼裝封裝。

3、小外形封裝(SOP)

SOP(Small Out-Line Package)是表面貼裝型封裝之一，也稱之為SOL或DFP，引腳從封裝兩側(cè)引出呈海鷗翼狀(L字形)。材料有塑料和陶瓷兩
種。SOP封裝標(biāo)準(zhǔn)有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等，SOP后面的數(shù)字表示引腳數(shù)。MOSFET的SOP封裝多數(shù)采用SOP-8規(guī)格，

4、方形扁平式封裝(QFP)

QFP(Plastic Quad Flat Package)封裝的芯片引腳之間距離很小，管腳很細(xì)，一般在大規(guī)?；虺笮图呻娐分胁捎?，其引腳數(shù)一般在100個(gè)以
上。用這種形式封裝的芯片必須采用SMT表面安裝技術(shù)將芯片與主板焊接起來(lái)。該封裝方式具有四大特點(diǎn)：

5、四邊無(wú)引線扁平封裝(QFN)

QFN(Quad Flat Non-leaded package)封裝四邊配置有電極接點(diǎn)，由于無(wú)引線，貼裝表現(xiàn)出面積比QFP小、高度比QFP低的特點(diǎn);其中陶瓷
QFN也稱為L(zhǎng)CC(Leadless Chip Carriers)，采用玻璃環(huán)氧樹(shù)脂印刷基板基材的低成本塑料QFN則稱為塑料LCC、PCLC、P-LCC等。

采用QFN-56封裝的DrMOS

傳統(tǒng)的分立式DC/DC降壓開(kāi)關(guān)電源無(wú)法滿足對(duì)更高功耗密度的要求，也不能解決高開(kāi)關(guān)頻率下的寄生參數(shù)影響問(wèn)題。

隨著技術(shù)的革新與進(jìn)步，把驅(qū)動(dòng)器和MOSFET整合在一起，構(gòu)建多芯片模塊已經(jīng)成為了現(xiàn)實(shí)，這種整合方式同時(shí)可以節(jié)省相當(dāng)可觀的空間從而
提升功耗密度，通過(guò)對(duì)驅(qū)動(dòng)器和MOS管的優(yōu)化提高電能效率和優(yōu)質(zhì)DC電流，這就是整合驅(qū)動(dòng)IC的DrMOS。

由于CPU的低電壓、大電流的發(fā)展趨勢(shì)，對(duì)MOSFET提出輸出電流大，導(dǎo)通電阻低，發(fā)熱量低散熱快，體積小的要求。MOSFET廠商除了改進(jìn)
芯片生產(chǎn)技術(shù)和工藝外，也不斷改進(jìn)封裝技術(shù)，在與標(biāo)準(zhǔn)外形規(guī)格兼容的基礎(chǔ)上，提出新的封裝外形，并為自己研發(fā)的新封裝注冊(cè)商標(biāo)名稱。

內(nèi)部封裝改進(jìn)方向

除了外部封裝，基于電子制造對(duì)MOS管的需求的變化，內(nèi)部封裝技術(shù)也在不斷得到改進(jìn)，這主要從三個(gè)方面進(jìn)行：改進(jìn)封裝內(nèi)部的互連技術(shù)、
增加漏極散熱板、改變散熱的熱傳導(dǎo)方向。

1、封裝內(nèi)部的互連技術(shù)

TO、D-PAK、SOT、SOP等采用焊線式的內(nèi)部互連封裝技術(shù)，當(dāng)CPU或GPU供電發(fā)展到低電壓、大電流時(shí)代，焊線式的SO-8封裝就受到了封
裝電阻、封裝電感、PN結(jié)到PCB和外殼熱阻等因素的限制。

         未來(lái)，隨著電子制造業(yè)繼續(xù)朝著超薄、小型化、低電壓、大電流方向的發(fā)展，MOS管的外形及內(nèi)部封裝結(jié)構(gòu)也會(huì)隨之改變，以更好適應(yīng)
制造業(yè)的發(fā)展需求。另外，為降低電子制造商的選用門檻，MOS管向模塊化、系統(tǒng)級(jí)封裝方向發(fā)展的趨勢(shì)也將越來(lái)越明顯，產(chǎn)品將從性能、成
本等多維度協(xié)調(diào)發(fā)展。

        而封裝作為MOS管選型的重要參考因素之一，不同的電子產(chǎn)品有不同的電性要求，不同的安裝環(huán)境也需要匹配的尺寸規(guī)格來(lái)滿足。實(shí)際選
用中，應(yīng)在大原則下，據(jù)實(shí)際需求情況來(lái)做抉擇。

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