維安1000VMOS打破歐美日對(duì)高壓CoolMOS的壟斷

文章出處：未知人氣：發(fā)表時(shí)間：2022-10-18 15:42

維安1000V MOSFET打破歐美日對(duì)高壓CoolMOS的壟斷

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MCU，供應(yīng)商產(chǎn)品線含國(guó)產(chǎn)MCU,電源IC,射頻IC,MOS管,電機(jī)驅(qū)動(dòng),功率IC,模擬IC,如有產(chǎn)品選型及樣片需求，請(qǐng)聯(lián)系 13923807831微信同號(hào)

IGBT和MOSFET的選用具體還得看充電樁的方案來(lái)做選擇，一般情況下大功率直流充電樁才會(huì)選用IGBT。因此，盡管大功率快速充電是未
來(lái)趨勢(shì)，但是由于大功率充電對(duì)IGBT模塊的尺寸、重量、耐壓性能等提出了更高的要求，同時(shí)大功率充電在成本、技術(shù)等方面尚存在許多挑戰(zhàn)

IGBT和MOSFET做為功率器件一直都是通信電源及充電樁必不可少的開關(guān)器件，隨看功率越來(lái)越大，所需要的開關(guān)器件電壓及電流也越來(lái)
越高，然而兩者使用有重合但應(yīng)用也有不同，根據(jù)充電樁功率、開關(guān)頻率、電壓、電流、價(jià)格等綜合因素考量，IGBT的優(yōu)勢(shì)在于高壓大功率
，MOSFET的由于其抗沖擊性好、不良率低通常用于低壓大電流的領(lǐng)域。
一般選擇應(yīng)用IGBT或MOSFET主要還是由具體的方案決定，目前大多數(shù)充電樁公司因成本原因主要還是用MOSFET作為開關(guān)電源模塊的
核心功率器件。如果要實(shí)現(xiàn)1000V以上、360A以上的大功率直流快充才會(huì)使用IGBT模塊。但是，目前大功率快速充電有技術(shù)難度，很驗(yàn)證在
短期內(nèi)解決這些問題，所以大部分企業(yè)還是使用MOSFET來(lái)實(shí)現(xiàn)。

目前高壓大電流IGBT和MOSFET都是歐美國(guó)國(guó)家進(jìn)口，技術(shù)被國(guó)外廠家掌控，成本高技術(shù)難度大，交付周期長(zhǎng)成為制約國(guó)產(chǎn)廠商進(jìn)入高
端市場(chǎng)的機(jī)會(huì)，對(duì)此維安WAYON針對(duì)全球市場(chǎng)，對(duì)850V及以上超高壓MOSFET產(chǎn)品進(jìn)行了技術(shù)重大創(chuàng)新，通過多年市場(chǎng)驗(yàn)證及產(chǎn)品技術(shù)積
累，開發(fā)出國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的工藝平臺(tái)，創(chuàng)新性研發(fā)出超高壓超結(jié)MOSFET功率器件，該產(chǎn)品具有封裝更小、更高耐壓、低導(dǎo)通電阻，
重磅推出的的高功率密度的800V－1000V以上的高壓MOSFET產(chǎn)品填補(bǔ)了國(guó)產(chǎn)功率器件市場(chǎng)空白，徹底打破了歐美日壟斷的局面，
使得國(guó)內(nèi)客戶在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中降低了對(duì)進(jìn)口產(chǎn)品的依存度，加速了國(guó)產(chǎn)替代的機(jī)會(huì)。

WAYON 超結(jié)MOSFET型號(hào)