國產(chǎn)維安半導(dǎo)體功率器件應(yīng)用領(lǐng)域需求激增
國產(chǎn)功率半導(dǎo)體春天來了,市場應(yīng)用領(lǐng)域需求激增
2020年開始火熱的清潔能源,碳中和,逆變電源,新能源汽車,快充等行來對功率器件需求大幅度攀升,催生了功率器件應(yīng)用全
面開花,其中汽車需求占比最高達(dá)40%左右,光伏逆變和風(fēng)電等清潔能源對IGBT,SIC,IPM,中高壓MOSFET需求強(qiáng)勁,智能家居中
也用到功率分立器件,掃地機(jī),電池管理,音頻增長很快,導(dǎo)致8寸晶圓短缺,缺貨嚴(yán)重,功率器件公司士蘭微,華潤微,東微,斯達(dá)
半導(dǎo)體,維安半導(dǎo)體營收都翻倍長,很多芯片公司也紛紛投資入場功率器市場。
國內(nèi)市場中汽車行業(yè)對于分立器件的用量占比為 30%。以 MOS為代表的中低壓功率器件廣泛應(yīng)用于汽車的電動天窗、雨刮器、安
全氣囊、后視鏡等 領(lǐng)域,純電汽車的車載充電機(jī),DC-DC 轉(zhuǎn)換器對于 MOS的需求大幅增加。汽車車燈轉(zhuǎn)為 LED 燈以后,MOS的需
求量增加至 20 顆,IGBT模塊成 為電驅(qū)系統(tǒng)中逆變器的標(biāo)配,據(jù)統(tǒng)計(jì)一臺電動車大概需要 450顆左右 IGBT 芯片。
在碳中和政策下,以清潔能源為代表的新能源發(fā)電需求大幅增長,直流轉(zhuǎn)換器和 光伏逆變器都需要用到 IGBT 作為功率開關(guān)。IGBT
通常適和于開關(guān)頻率低和大電流的應(yīng)用,大電流下 IGBT 的導(dǎo)通損耗比 MOSFET 更低,MOSFET 有能力滿足高頻、小電流的應(yīng)用,具
有更低的開關(guān)損耗,更適合開關(guān)頻率在100KHz 以上的逆變器模塊。
近幾年熱門的智能家居產(chǎn)品中也大量用到功率器件,一個(gè)復(fù)雜化智能掃地機(jī)功能包括:無線充、BMS電池管理、音頻放大器、吸塵
器、電機(jī)控制等,主要以中低壓MOSFET為主大約在 4-8顆左右。
功率 MOSFET一般主要作為功率電子開關(guān)使用。MOSFET 發(fā)展經(jīng)歷了幾個(gè)階段,主要分為如下幾個(gè)類型:
1. 溝槽型 MOSFET,主要用于低壓(100V)領(lǐng)域;
2.SGT(Shielded Gate Transistor,屏蔽柵溝槽)MOSFET,主要用于中低壓(200V),在電動車、光伏發(fā)電、白色家電、電機(jī)驅(qū)
動系統(tǒng)等領(lǐng)域
3.SJ-MOSFET,即超結(jié) MOSFET,主要在高壓(600V-800V)領(lǐng)域應(yīng)用。
近幾年國產(chǎn)功率器件廠商發(fā)展也很快,但產(chǎn)品線差異也很大,主要還是在中低壓MOSFET比較多,頭部資金技實(shí)力雄厚廠商開始進(jìn)
入高壓MOSFET、IGBT、SIC、GAN等歐美英飛凌、ST意法廠商主導(dǎo)的領(lǐng)域,逐步進(jìn)行國產(chǎn)替代,2021年的大缺貨加速了國產(chǎn)替代的
步伐,研發(fā)驗(yàn)證、小批量到量產(chǎn)時(shí)間大幅縮短給了國產(chǎn)廠商非常大的機(jī)會,加上國家大力支持國產(chǎn)功率半導(dǎo)體的春天不遠(yuǎn)了。
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