維安半導(dǎo)體高壓CoolMos打破國外友商壟斷
文章出處:未知 人氣:發(fā)表時間:2022-10-18 16:15
維安半導(dǎo)體國產(chǎn)高壓超結(jié)MOSFET技術(shù)突破瓶頸打破壟斷
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以分中低壓,高壓,就用于不同的產(chǎn)品里,其高壓MOSFET由于其工藝要求高,研發(fā)難度大一直被歐美廠商牢牢把控,國產(chǎn)只能從競爭大,
利潤低中低壓MOS切入,隨著中國高速發(fā)展,帶動工業(yè)4.0,
一帶一路特高壓,工業(yè)自動化及新能源汽車對高壓功率器件的需求大大增加,高壓MOS作為主要器件被國產(chǎn)廠商做為必須要攻克的技術(shù)高
點(diǎn),包括華潤微,士蘭微,東微,
維安半導(dǎo)體等都在大力投入發(fā)展。
MOSFET也就是場效應(yīng)晶體管,按功能一般可以分為4種類型:N溝道增強(qiáng)型、N溝道耗盡型、P溝道增強(qiáng)型、P溝道耗盡型。
按工藝類型分:平面 MOSFET、深溝槽柵 MOSFET、SJ- MOSFET、SGT MOSFET 等
按半導(dǎo)體材料分:SIC、GaN
按電壓分:低壓、中壓、高壓
按結(jié)構(gòu)場效應(yīng)分:結(jié)型場效應(yīng)(JFET)、絕緣柵場效應(yīng)(MOSFET)
高壓功率MOSFET大多要求高開關(guān)頻率與低功耗,應(yīng)用中一般多用作開關(guān)器件使用,隨著經(jīng)濟(jì)發(fā)展,工業(yè)自動化不斷提高所帶來的對按半導(dǎo)體材料分:SIC、GaN
按電壓分:低壓、中壓、高壓
按結(jié)構(gòu)場效應(yīng)分:結(jié)型場效應(yīng)(JFET)、絕緣柵場效應(yīng)(MOSFET)
功率器件有更高性能的需求,針對高壓MOSFET性能主要有幾個方面的提升,高的輸出功率,大電流,更高的頻率,更低的功耗,更高的功
率密度,為了實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)功率MOSFET經(jīng)歷了幾代制程的演變,工藝改進(jìn),半導(dǎo)體材料發(fā)展都是為了提高M(jìn)OSFE性能,減少體積,提高
密度。
高壓MOS行業(yè)是已需求為主來驅(qū)動技術(shù)發(fā)展,具體是什么原因?qū)е逻@個局面:
1.功率MOSFET整體發(fā)展方向是提高功率密度、降低功耗,
2.需要滿足客戶端特定性能需求MOSFET才能形成替代,技術(shù)更為先進(jìn)的超結(jié)MOSFET成為主流,國產(chǎn)廠商需要更強(qiáng)的研發(fā)實(shí)力不斷突
破材料及工藝限制,發(fā)展高端層次功率MOSFET的生產(chǎn)能力,可以幫助國產(chǎn)廠商實(shí)現(xiàn)高端領(lǐng)域產(chǎn)品核心競爭力,在工業(yè)化應(yīng)用中更多的使
用國產(chǎn)高壓功率器件,只有加強(qiáng)研發(fā)實(shí)力才能擺脫低端制造的帽子,才可以跟國外廠商同場PK。
高壓MOSFET主要應(yīng)用于:新能源、軌道交通、綠色照明、光伏逆變、汽車電子、5G機(jī)站、航空航天等
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