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不懂MOSFET你能設計出可靠電路?
認識MOSFET
MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好;制造工藝簡單、輻射強,因而通常被用于放大電路或開關電路;
(1)主要選型參數(shù):漏源電壓VDS(耐壓),ID 連續(xù)漏電流,RDS(on) 導通電阻,Ciss 輸入電容(結電容),品質因數(shù)FOM=Ron * Qg等。
(2)根據(jù)不同的工藝又分為
Trench MOS:溝槽型MOS,主要低壓領域100V內(nèi);
SGT (Split Gate)MOS:分裂柵MOS,主要中低壓領域200V內(nèi);
SJ MOS:超結MOS,主要在高壓領域 600-800V;
功率半導體器件在工業(yè) 、消費 、軍事等領域都有著廣泛應用 ,具有很高的戰(zhàn)略地位,下面我們從一張圖看功率器件的全貌:
功率半導體器件又可根據(jù)對電路信號的控程度分為全型 、半控型及不可;或按驅動電路信號 性質分為電壓驅動型 、電流驅動型等劃分類別 電流驅動型等劃分類別 電流驅動型等劃分類別 。
不同功率半導體器件 ,其承受電壓 、電流容量 、阻抗能力 、體積大小等特性也會不同 ,實際使用中 , 需要根據(jù)不同領域 、不同需求來選用合適的器件。
半導體行業(yè)從誕生至今 ,先后經(jīng)歷了三代材料的變更程 ,截至目前 ,功率半導體器件領域仍主要采 用以 Si 為代表的第一半導體材料 。
匯總下半控型和全控型功率器件的特性
時,如圖1所示。這個延時在MIL-STD-750E中被定義為Tdon,Tr,Tdoff,Tdoff四個參數(shù)表示,為了適應開關電源日益高頻化的發(fā)展趨勢,希望MOS自身的開關時間越小越
好,MOS開關時間和寄生電容有很大的關系,寄生電容越大開關時間越大,而寄生電容很大程度上又取決于芯片的大小,芯片越小寄生電容越小。
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