率能半導(dǎo)體40V雙通道H橋步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片SS8841
文章出處：未知 人氣：發(fā)表時(shí)間：2024-05-04 20:57
40V高耐壓/雙通道H橋步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片-SS8841T，支持多種細(xì)分功能，
適用于舞臺(tái)燈光、辦公自動(dòng)化設(shè)備等多領(lǐng)域
一、SS8841芯片概述SS8841T為舞臺(tái)燈光和其它電機(jī)一體化應(yīng)用提供一種雙通道集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案。
SS8841T有兩路H橋驅(qū)動(dòng)，每個(gè)H橋可提供最大峰值電流2.5A和均方根電流1.75A(在24V和Ta = 25°C適當(dāng)散熱條件下)，可驅(qū)動(dòng)
兩個(gè)刷式直流電機(jī)，或者一個(gè)雙極步進(jìn)電機(jī)，或者螺線管或者其它感性負(fù)載。雙極步進(jìn)電機(jī)可以以整步、2細(xì)分、4細(xì)分運(yùn)行，或者
用軟件實(shí)現(xiàn)高細(xì)分
二、芯片模式
兩個(gè)刷式直流電機(jī)，或者一個(gè)雙極步進(jìn)電機(jī)，或者螺線管或者其它感性負(fù)載。雙極步進(jìn)電機(jī)可以以整步、2細(xì)分、4細(xì)分運(yùn)行，或者
用軟件實(shí)現(xiàn)高細(xì)分
二、芯片模式
SS8841T的每一個(gè)H橋的功率輸出模塊由N型功率MOSFET組成。每個(gè)H橋包含整流電路和限流電路。簡(jiǎn)單的并行數(shù)字控制接
口，衰減模式可選擇為快衰減，慢衰減和混合衰減。
口，衰減模式可選擇為快衰減，慢衰減和混合衰減。
SS8841T提供了一種低功耗睡眠模式來關(guān)斷內(nèi)部電路，以達(dá)到非常低的靜態(tài)電流。這種睡眠模式通過設(shè)置nSLEEP引腳來實(shí)現(xiàn)。
內(nèi)部關(guān)斷功能包含過流保護(hù)，短路保護(hù)，欠壓鎖定保護(hù)和過溫保護(hù)，并提供一個(gè)故障輸出管腳nFAULT引腳。
三、芯片功能
內(nèi)部關(guān)斷功能包含過流保護(hù)，短路保護(hù)，欠壓鎖定保護(hù)和過溫保護(hù)，并提供一個(gè)故障輸出管腳nFAULT引腳。
三、芯片功能
1.工作電壓范圍：8.2-40V；工作電流范圍：1.75-2.5A
2.PWM（脈寬調(diào)制）控制接口
3.雙通道H橋電流控制電機(jī)驅(qū)動(dòng)器：?jiǎn)蝹€(gè)或兩個(gè)有刷直流電機(jī)；一個(gè)步進(jìn)電機(jī)
4.低導(dǎo)通阻抗的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）
5.睡眠模式低電流
6.內(nèi)置3.3V基準(zhǔn)電壓
7.帶散熱片的表面貼裝封裝
8.固定頻率下電流控制可選擇：--2bits電流控制，提供4個(gè)電流臺(tái)階
四、芯片保護(hù)和特性
四、芯片保護(hù)和特性
1、過流保護(hù)（OCP）
每個(gè)功率管的電流限制模擬電路通過移除柵極驅(qū)動(dòng)來限制功率管的電流。
2、過溫保護(hù)（TSD）
如果芯片溫度超過安全范圍，所有的 H 橋場(chǎng)效應(yīng)管都將關(guān)斷，并且 nFAULT 引腳將被拉低。一旦溫度降至安全水平，將自動(dòng)
恢復(fù)正常工作。
恢復(fù)正常工作。
3、欠壓保護(hù)（UVLO）
如果 VM 電壓低于欠壓鎖定閾值，芯片內(nèi)部所有電路都不工作并且內(nèi)部邏輯都清零。直到 VM 電壓升高至比 UVLO 閾值高時(shí)
才恢復(fù)工作。
才恢復(fù)工作。
五、產(chǎn)品應(yīng)用
適用于舞臺(tái)燈光、辦公自動(dòng)化設(shè)備、安防相機(jī)，打印機(jī)等多領(lǐng)域
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