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屏蔽柵SGT MOSFET

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維安SGT MOSFET

參數(shù)一：功率密度高
參數(shù)二：開關(guān)損耗低
參數(shù)三：內(nèi)阻小
參數(shù)四：EMI特性好

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產(chǎn)品詳情

MOSFET可以分為以下幾類：平面型MOSFET；Trench （溝槽型）MOSFET，主要用于低壓領(lǐng)域；SGT（Shielded Gate Transistor，屏蔽柵溝槽）MOSFET，
主要用于中壓和低壓領(lǐng)域；SJ-（超結(jié)）MOSFET，主要在高壓領(lǐng)域應(yīng)用。

SGT技術(shù)優(yōu)勢具體體現(xiàn)：1.提升功率密度，2.極低的開關(guān)損耗 3.更好的EMI優(yōu)勢
MV&LV Power MOSFET選型表，維安代理商華芯旺可提供樣片，歡迎來電咨詢13923807831

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